Биполярный транзистор BFM505 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BFM505
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 8 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2.5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.018 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 9000 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.31 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: SOT363
BFM505 Datasheet (PDF)
bfm505 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBFM505Dual NPN wideband transistor1996 Oct 08Product specificationSupersedes data of 1995 Sep 04File under Discrete Semiconductors, SC14Philips Semiconductors Product specificationDual NPN wideband transistor BFM505FEATURES PINNING - SOT363A Small sizePIN SYMBOL DESCRIPTION Temperature and hFE matched1 b1 base 1 Low noise
bfm505.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETBFM505Dual NPN wideband transistorProduct specification 1996 Oct 08Supersedes data of 1995 Sep 04NXP Semiconductors Product specificationDual NPN wideband transistor BFM505FEATURES PINNING - SOT363A Small sizePIN SYMBOL DESCRIPTION Temperature and hFE matched1 b1 base 1 Low noise and high gain2 e1 emitter 1 High gain
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050