BFM505. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BFM505

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 8 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.018 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 9000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.31 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: SOT363

 Аналоги (замена) для BFM505

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFM505 даташит

 ..1. Size:65K  philips
 bfm505 2.pdf pdf_icon

BFM505

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFM505 Dual NPN wideband transistor 1996 Oct 08 Product specification Supersedes data of 1995 Sep 04 File under Discrete Semiconductors, SC14 Philips Semiconductors Product specification Dual NPN wideband transistor BFM505 FEATURES PINNING - SOT363A Small size PIN SYMBOL DESCRIPTION Temperature and hFE matched 1 b1 base 1 Low noise

 ..2. Size:308K  philips
 bfm505.pdf pdf_icon

BFM505

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFM505 Dual NPN wideband transistor Product specification 1996 Oct 08 Supersedes data of 1995 Sep 04 NXP Semiconductors Product specification Dual NPN wideband transistor BFM505 FEATURES PINNING - SOT363A Small size PIN SYMBOL DESCRIPTION Temperature and hFE matched 1 b1 base 1 Low noise and high gain 2 e1 emitter 1 High gain

Другие транзисторы: BFG505, BFG505W, BFG520, BFG520W, BFG590, BFG590W, BFG591, BFG480W, 2N3055, BFM520, BFQ131, BFQ151, BFQ166, BFQ256, BFQ256A, BFR520, BFR520T