BFS520 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BFS520

Código: N2

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W

Tensión colector-base (Vcb): 20 V

Tensión colector-emisor (Vce): 15 V

Tensión emisor-base (Veb): 2.5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.07 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 9000 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 0.5 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 60

Encapsulados: SOT323 SC70

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BFS520 datasheet

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BFS520

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BFS520

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFS520 NPN 9 GHz wideband transistor Product specification September 1995 NXP Semiconductors Product specification NPN 9 GHz wideband transistor BFS520 FEATURES It is intended for wideband applications such as satellite TV High power gain tuners, cellular phones, cordless 3 handbook, 2 columns Low noise figure phones, pagers etc., w

 ..3. Size:1310K  kexin
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BFS520

SMD Type Transistors NPN Transistors BFS520 (KFS520) Features Collector Current Capability IC=70mA Collector Emitter Voltage VCEO=15V High power gain Low noise figure High transition frequency 1.Base 2.Emitter 3.Collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO 20 Collector - Emitter Voltage

 ..4. Size:211K  inchange semiconductor
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BFS520

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN RF Transistor BFS520 DESCRIPTION Low Noise and High Gain NF = 1.5 dB TYP @V = 6V, I = 5 mA, f = 1.0 GHz CE C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for low noise amplifier at VHF, UHF ABSO

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