Биполярный транзистор BFS520 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: BFS520
Маркировка: N2
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2.5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.07 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 9000 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: SOT323 SC70
Аналог (замена) для BFS520
BFS520 Datasheet (PDF)
bfs520.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBFS520NPN 9 GHz wideband transistorSeptember 1995Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC14Philips Semiconductors Product specificationNPN 9 GHz wideband transistor BFS520It is intended for widebandFEATURESapplications such as satellite TV High power gaintuners, cellular phones, cordlesshandbook, 2 columns3
bfs520 cnv.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETBFS520NPN 9 GHz wideband transistorProduct specification September 1995NXP Semiconductors Product specificationNPN 9 GHz wideband transistor BFS520FEATURES It is intended for wideband applications such as satellite TV High power gaintuners, cellular phones, cordless 3handbook, 2 columns Low noise figurephones, pagers etc., w
bfs520.pdf

SMD Type TransistorsNPN TransistorsBFS520 (KFS520) Features Collector Current Capability IC=70mA Collector Emitter Voltage VCEO=15V High power gain Low noise figure High transition frequency1.Base2.Emitter3.Collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO 20 Collector - Emitter Voltage
bfs520.pdf

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN RF Transistor BFS520DESCRIPTIONLow Noise and High GainNF = 1.5 dB TYP@V = 6V, I = 5 mA, f = 1.0 GHzCE CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for low noise amplifier at VHF, UHFABSO
Другие транзисторы... BFQ131 , BFQ151 , BFQ166 , BFQ256 , BFQ256A , BFR520 , BFR520T , BFS25A , 2SD718 , BFS540 , BLS2731-10 , BLS2731-110 , BLS2731-20 , BLS2731-50 , BLS3135-10 , BLS3135-20 , BLS3135-50 .



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
bdw94c equivalent | c2389 | c495 transistor | c5242 reemplazo | d667 transistor datasheet | hy1d datasheet | mp20a transistor | mrf450