Биполярный транзистор BFS520 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BFS520
Маркировка: N2
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2.5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.07 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 9000 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: SOT323 SC70
BFS520 Datasheet (PDF)
bfs520.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBFS520NPN 9 GHz wideband transistorSeptember 1995Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC14Philips Semiconductors Product specificationNPN 9 GHz wideband transistor BFS520It is intended for widebandFEATURESapplications such as satellite TV High power gaintuners, cellular phones, cordlesshandbook, 2 columns3
bfs520 cnv.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETBFS520NPN 9 GHz wideband transistorProduct specification September 1995NXP Semiconductors Product specificationNPN 9 GHz wideband transistor BFS520FEATURES It is intended for wideband applications such as satellite TV High power gaintuners, cellular phones, cordless 3handbook, 2 columns Low noise figurephones, pagers etc., w
bfs520.pdf
SMD Type TransistorsNPN TransistorsBFS520 (KFS520) Features Collector Current Capability IC=70mA Collector Emitter Voltage VCEO=15V High power gain Low noise figure High transition frequency1.Base2.Emitter3.Collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO 20 Collector - Emitter Voltage
bfs520.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN RF Transistor BFS520DESCRIPTIONLow Noise and High GainNF = 1.5 dB TYP@V = 6V, I = 5 mA, f = 1.0 GHzCE CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for low noise amplifier at VHF, UHFABSO
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050