Справочник транзисторов. BFS520

 

Биполярный транзистор BFS520 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BFS520
   Маркировка: N2
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2.5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.07 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 9000 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: SOT323 SC70
 

 Аналог (замена) для BFS520

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFS520 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:89K  philips
bfs520.pdfpdf_icon

BFS520

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBFS520NPN 9 GHz wideband transistorSeptember 1995Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC14Philips Semiconductors Product specificationNPN 9 GHz wideband transistor BFS520It is intended for widebandFEATURESapplications such as satellite TV High power gaintuners, cellular phones, cordlesshandbook, 2 columns3

 ..2. Size:263K  philips
bfs520 cnv.pdfpdf_icon

BFS520

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETBFS520NPN 9 GHz wideband transistorProduct specification September 1995NXP Semiconductors Product specificationNPN 9 GHz wideband transistor BFS520FEATURES It is intended for wideband applications such as satellite TV High power gaintuners, cellular phones, cordless 3handbook, 2 columns Low noise figurephones, pagers etc., w

 ..3. Size:1310K  kexin
bfs520.pdfpdf_icon

BFS520

SMD Type TransistorsNPN TransistorsBFS520 (KFS520) Features Collector Current Capability IC=70mA Collector Emitter Voltage VCEO=15V High power gain Low noise figure High transition frequency1.Base2.Emitter3.Collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO 20 Collector - Emitter Voltage

 ..4. Size:211K  inchange semiconductor
bfs520.pdfpdf_icon

BFS520

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN RF Transistor BFS520DESCRIPTIONLow Noise and High GainNF = 1.5 dB TYP@V = 6V, I = 5 mA, f = 1.0 GHzCE CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for low noise amplifier at VHF, UHFABSO

Другие транзисторы... BFQ131 , BFQ151 , BFQ166 , BFQ256 , BFQ256A , BFR520 , BFR520T , BFS25A , 2SD718 , BFS540 , BLS2731-10 , BLS2731-110 , BLS2731-20 , BLS2731-50 , BLS3135-10 , BLS3135-20 , BLS3135-50 .

 

 
Back to Top

 


 
.