BFS540 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BFS540
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
Tensión colector-base (Vcb): 20 V
Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
Tensión emisor-base (Veb): 2.5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.12 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 9000 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 0.9 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 100
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BFS540 datasheet
bfs540 4.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D102 BFS540 NPN 9 GHz wideband transistor Product specification 2000 May 30 Supersedes data of 1997 Dec 05 Philips Semiconductors Product specification NPN 9 GHz wideband transistor BFS540 FEATURES DESCRIPTION High power gain NPN transistor in a SOT323 plastic package. Low noise figure 3 handbook, 2 columns High tr
bfs540.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET dbook, halfpage M3D102 BFS540 NPN 9 GHz wideband transistor Product specification 2000 May 30 Supersedes data of 1997 Dec 05 NXP Semiconductors Product specification NPN 9 GHz wideband transistor BFS540 FEATURES DESCRIPTION High power gain NPN transistor in a SOT323 plastic package. Low noise figure 3 handbook, 2 columns High tr
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History: 2SB106
History: 2SB106
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