Биполярный транзистор BFS540 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BFS540
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2.5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.12 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 9000 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.9 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT323 SC70
BFS540 Datasheet (PDF)
bfs540 4.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D102BFS540NPN 9 GHz wideband transistorProduct specification 2000 May 30Supersedes data of 1997 Dec 05Philips Semiconductors Product specificationNPN 9 GHz wideband transistor BFS540FEATURES DESCRIPTION High power gain NPN transistor in a SOT323 plasticpackage. Low noise figure3handbook, 2 columns High tr
bfs540.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETdbook, halfpageM3D102BFS540NPN 9 GHz wideband transistorProduct specification 2000 May 30Supersedes data of 1997 Dec 05NXP Semiconductors Product specificationNPN 9 GHz wideband transistor BFS540FEATURES DESCRIPTION High power gain NPN transistor in a SOT323 plastic package. Low noise figure3handbook, 2 columns High tr
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050