BLT13 Todos los transistores

 

BLT13 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BLT13
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 20 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 10 V
   Tensión emisor-base (Veb): 2.5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Capacitancia de salida (Cc): 8 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: SOT96-1
 

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BLT13 Datasheet (PDF)

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BLT13

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLT13UHF power transistor1996 Apr 12Preliminary specificationFile under Discrete Semiconductors, SC08bPhilips Semiconductors Preliminary specificationUHF power transistor BLT13FEATURES DESCRIPTION High efficiency NPN silicon planar epitaxial transistor encapsulated in aplastic SOT96-1 (SO8) SMD package. High gain Internal pre-

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History: 2SC1757 | 2SC2411KFRA

 

 
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