BLT13 Todos los transistores

 

BLT13 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BLT13

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W

Tensión colector-base (Vcb): 20 V

Tensión colector-emisor (Vce): 10 V

Tensión emisor-base (Veb): 2.5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Capacitancia de salida (Cc): 8 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: SOT96-1

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BLT13 datasheet

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BLT13

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLT13 UHF power transistor 1996 Apr 12 Preliminary specification File under Discrete Semiconductors, SC08b Philips Semiconductors Preliminary specification UHF power transistor BLT13 FEATURES DESCRIPTION High efficiency NPN silicon planar epitaxial transistor encapsulated in a plastic SOT96-1 (SO8) SMD package. High gain Internal pre-

Otros transistores... BLS2731-10 , BLS2731-110 , BLS2731-20 , BLS2731-50 , BLS3135-10 , BLS3135-20 , BLS3135-50 , BLS3135-65 , 2SD718 , BLT52 , BLT53 , BLT61 , BLT70 , BLT71-8 , BLT81 , BLT82 , BLT94 .

 

 

 

 

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