BLT13 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BLT13
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
Tensión colector-base (Vcb): 20 V
Tensión colector-emisor (Vce): 10 V
Tensión emisor-base (Veb): 2.5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Capacitancia de salida (Cc): 8 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 30
Encapsulados: SOT96-1
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BLT13 datasheet
blt13.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLT13 UHF power transistor 1996 Apr 12 Preliminary specification File under Discrete Semiconductors, SC08b Philips Semiconductors Preliminary specification UHF power transistor BLT13 FEATURES DESCRIPTION High efficiency NPN silicon planar epitaxial transistor encapsulated in a plastic SOT96-1 (SO8) SMD package. High gain Internal pre-
Otros transistores... BLS2731-10 , BLS2731-110 , BLS2731-20 , BLS2731-50 , BLS3135-10 , BLS3135-20 , BLS3135-50 , BLS3135-65 , 2SD718 , BLT52 , BLT53 , BLT61 , BLT70 , BLT71-8 , BLT81 , BLT82 , BLT94 .
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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