Справочник транзисторов. BLT13

 

Биполярный транзистор BLT13 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BLT13
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2.5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: SOT96-1
 

 Аналог (замена) для BLT13

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BLT13 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:54K  philips
 blt13.pdf pdf_icon

BLT13

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLT13UHF power transistor1996 Apr 12Preliminary specificationFile under Discrete Semiconductors, SC08bPhilips Semiconductors Preliminary specificationUHF power transistor BLT13FEATURES DESCRIPTION High efficiency NPN silicon planar epitaxial transistor encapsulated in aplastic SOT96-1 (SO8) SMD package. High gain Internal pre-

Другие транзисторы... BLS2731-10 , BLS2731-110 , BLS2731-20 , BLS2731-50 , BLS3135-10 , BLS3135-20 , BLS3135-50 , BLS3135-65 , 2SC2073 , BLT52 , BLT53 , BLT61 , BLT70 , BLT71-8 , BLT81 , BLT82 , BLT94 .

History: 2SD126

 

 
Back to Top

 


 
.