BLT13 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BLT13  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: SOT96-1

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BLT13

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BLT13 даташит

 ..1. Size:54K  philips
 blt13.pdf pdf_icon

BLT13

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLT13 UHF power transistor 1996 Apr 12 Preliminary specification File under Discrete Semiconductors, SC08b Philips Semiconductors Preliminary specification UHF power transistor BLT13 FEATURES DESCRIPTION High efficiency NPN silicon planar epitaxial transistor encapsulated in a plastic SOT96-1 (SO8) SMD package. High gain Internal pre-

Другие транзисторы: BLS2731-10, BLS2731-110, BLS2731-20, BLS2731-50, BLS3135-10, BLS3135-20, BLS3135-50, BLS3135-65, 2SD718, BLT52, BLT53, BLT61, BLT70, BLT71-8, BLT81, BLT82, BLT94