BLT13 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BLT13
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2.5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: SOT96-1
Аналоги (замена) для BLT13
BLT13 Datasheet (PDF)
blt13.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLT13UHF power transistor1996 Apr 12Preliminary specificationFile under Discrete Semiconductors, SC08bPhilips Semiconductors Preliminary specificationUHF power transistor BLT13FEATURES DESCRIPTION High efficiency NPN silicon planar epitaxial transistor encapsulated in aplastic SOT96-1 (SO8) SMD package. High gain Internal pre-
Другие транзисторы... BLS2731-10 , BLS2731-110 , BLS2731-20 , BLS2731-50 , BLS3135-10 , BLS3135-20 , BLS3135-50 , BLS3135-65 , 2SC2073 , BLT52 , BLT53 , BLT61 , BLT70 , BLT71-8 , BLT81 , BLT82 , BLT94 .
History: 40269
History: 40269



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
p157r5nt | ptp03n04n | sm4377 mosfet datasheet | tip31c reemplazo | 2sa906 | c2389 transistor | c2634 transistor | mdp1991 datasheet