BLT52 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BLT52
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 13 W
Tensión colector-base (Vcb): 20 V
Tensión colector-emisor (Vce): 10 V
Tensión emisor-base (Veb): 3 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 2.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Capacitancia de salida (Cc): 24 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 25
Encapsulados: SOT409A
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BLT52 datasheet
blt52.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D175 BLT52 UHF power transistor 1998 Jan 28 Product specification Supersedes data of 1997 Oct 15 Philips Semiconductors Product specification UHF power transistor BLT52 FEATURES PINNING Emitter ballasting resistors for an optimum PIN DESCRIPTION temperature profile 1, 4, 5, 8 emitter Gold metallization ensures excellent reliability.
Otros transistores... BLS2731-110 , BLS2731-20 , BLS2731-50 , BLS3135-10 , BLS3135-20 , BLS3135-50 , BLS3135-65 , BLT13 , 13003 , BLT53 , BLT61 , BLT70 , BLT71-8 , BLT81 , BLT82 , BLT94 , BLU11-SL .
History: 2SC512R
History: 2SC512R
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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