BLT52 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BLT52  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 13 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 24 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: SOT409A

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BLT52

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BLT52 даташит

 ..1. Size:78K  philips
 blt52.pdf pdf_icon

BLT52

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D175 BLT52 UHF power transistor 1998 Jan 28 Product specification Supersedes data of 1997 Oct 15 Philips Semiconductors Product specification UHF power transistor BLT52 FEATURES PINNING Emitter ballasting resistors for an optimum PIN DESCRIPTION temperature profile 1, 4, 5, 8 emitter Gold metallization ensures excellent reliability.

Другие транзисторы: BLS2731-110, BLS2731-20, BLS2731-50, BLS3135-10, BLS3135-20, BLS3135-50, BLS3135-65, BLT13, 13003, BLT53, BLT61, BLT70, BLT71-8, BLT81, BLT82, BLT94, BLU11-SL