Биполярный транзистор BLT52 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BLT52
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 13 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 24 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
Корпус транзистора: SOT409A
BLT52 Datasheet (PDF)
..1. Size:78K philips
blt52.pdf
blt52.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D175BLT52UHF power transistor1998 Jan 28Product specificationSupersedes data of 1997 Oct 15Philips Semiconductors Product specificationUHF power transistor BLT52FEATURES PINNING Emitter ballasting resistors for an optimumPIN DESCRIPTIONtemperature profile1, 4, 5, 8 emitter Gold metallization ensures excellent reliability.
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP42 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050