Справочник транзисторов. BLT52

 

Биполярный транзистор BLT52 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BLT52
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 13 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 24 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: SOT409A
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BLT52 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:78K  philips
 blt52.pdf pdf_icon

BLT52

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D175BLT52UHF power transistor1998 Jan 28Product specificationSupersedes data of 1997 Oct 15Philips Semiconductors Product specificationUHF power transistor BLT52FEATURES PINNING Emitter ballasting resistors for an optimumPIN DESCRIPTIONtemperature profile1, 4, 5, 8 emitter Gold metallization ensures excellent reliability.

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: KRA108S | SEMZ8

 

 
Back to Top

 


 
.