BLT82 Todos los transistores

 

BLT82 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BLT82
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1.9 W
   Tensión colector-base (Vcb): 20 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 10 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3.5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Capacitancia de salida (Cc): 17 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: SOT96-1
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

BLT82 Datasheet (PDF)

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BLT82

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLT82UHF power transistor1996 Feb 05Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationUHF power transistor BLT82FEATURES DESCRIPTION High efficiency NPN silicon planar epitaxial transistor encapsulated in aplastic SOT96-1 (SO8) SMD package. High gain Internal pre-matched input.APPLICATIONShandbook, halfpage8

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