BLT82 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BLT82
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1.9 W
Tensión colector-base (Vcb): 20 V
Tensión colector-emisor (Vce): 10 V
Tensión emisor-base (Veb): 3.5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Capacitancia de salida (Cc): 17 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
Paquete / Cubierta: SOT96-1
BLT82 Datasheet (PDF)
blt82.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLT82UHF power transistor1996 Feb 05Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationUHF power transistor BLT82FEATURES DESCRIPTION High efficiency NPN silicon planar epitaxial transistor encapsulated in aplastic SOT96-1 (SO8) SMD package. High gain Internal pre-matched input.APPLICATIONShandbook, halfpage8
Otros transistores... BLS3135-65 , BLT13 , BLT52 , BLT53 , BLT61 , BLT70 , BLT71-8 , BLT81 , A940 , BLT94 , BLU11-SL , BLU56 , BLU86 , BLV12 , BLV193 , BLV194 , BLV58 .



Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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