BLT82 - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

BLT82 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BLT82
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.9 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3.5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 17 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: SOT96-1

 Аналоги (замена) для BLT82

 

BLT82 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:75K  philips
blt82.pdfpdf_icon

BLT82

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLT82 UHF power transistor 1996 Feb 05 Product specification Philips Semiconductors Product specification UHF power transistor BLT82 FEATURES DESCRIPTION High efficiency NPN silicon planar epitaxial transistor encapsulated in a plastic SOT96-1 (SO8) SMD package. High gain Internal pre-matched input. APPLICATIONS handbook, halfpage 8

Другие транзисторы... BLS3135-65 , BLT13 , BLT52 , BLT53 , BLT61 , BLT70 , BLT71-8 , BLT81 , S8550 , BLT94 , BLU11-SL , BLU56 , BLU86 , BLV12 , BLV193 , BLV194 , BLV58 .

History: MRF654 | DCX114TU | 2SC386

 

 
Back to Top

 


 
.