BLT82 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BLT82
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.9 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3.5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 17 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: SOT96-1
BLT82 Datasheet (PDF)
blt82.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLT82 UHF power transistor 1996 Feb 05 Product specification Philips Semiconductors Product specification UHF power transistor BLT82 FEATURES DESCRIPTION High efficiency NPN silicon planar epitaxial transistor encapsulated in a plastic SOT96-1 (SO8) SMD package. High gain Internal pre-matched input. APPLICATIONS handbook, halfpage 8
Другие транзисторы... BLS3135-65 , BLT13 , BLT52 , BLT53 , BLT61 , BLT70 , BLT71-8 , BLT81 , S8550 , BLT94 , BLU11-SL , BLU56 , BLU86 , BLV12 , BLV193 , BLV194 , BLV58 .
History: MRF654 | DCX114TU | 2SC386
History: MRF654 | DCX114TU | 2SC386
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
mdp1991 datasheet | 40636 transistor | ao3407 datasheet | c1841 transistor | fb42n20d | irfb3306 equivalent | irfp460 характеристики | k2837 datasheet


