Биполярный транзистор BLT82 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BLT82
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.9 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3.5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 17 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: SOT96-1
BLT82 Datasheet (PDF)
..1. Size:75K philips
blt82.pdf
blt82.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLT82UHF power transistor1996 Feb 05Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationUHF power transistor BLT82FEATURES DESCRIPTION High efficiency NPN silicon planar epitaxial transistor encapsulated in aplastic SOT96-1 (SO8) SMD package. High gain Internal pre-matched input.APPLICATIONShandbook, halfpage8
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050 | HSA1037AKS