Справочник транзисторов. BLT82

 

Биполярный транзистор BLT82 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BLT82
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.9 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3.5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 17 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: SOT96-1
 

 Аналог (замена) для BLT82

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BLT82 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:75K  philips
 blt82.pdf pdf_icon

BLT82

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLT82UHF power transistor1996 Feb 05Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationUHF power transistor BLT82FEATURES DESCRIPTION High efficiency NPN silicon planar epitaxial transistor encapsulated in aplastic SOT96-1 (SO8) SMD package. High gain Internal pre-matched input.APPLICATIONShandbook, halfpage8

Другие транзисторы... BLS3135-65 , BLT13 , BLT52 , BLT53 , BLT61 , BLT70 , BLT71-8 , BLT81 , A940 , BLT94 , BLU11-SL , BLU56 , BLU86 , BLV12 , BLV193 , BLV194 , BLV58 .

History: 2SD126

 

 
Back to Top

 


 
.