BLT82 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BLT82  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.9 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 17 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: SOT96-1

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BLT82

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BLT82 даташит

 ..1. Size:75K  philips
 blt82.pdf pdf_icon

BLT82

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLT82 UHF power transistor 1996 Feb 05 Product specification Philips Semiconductors Product specification UHF power transistor BLT82 FEATURES DESCRIPTION High efficiency NPN silicon planar epitaxial transistor encapsulated in a plastic SOT96-1 (SO8) SMD package. High gain Internal pre-matched input. APPLICATIONS handbook, halfpage 8

Другие транзисторы: BLS3135-65, BLT13, BLT52, BLT53, BLT61, BLT70, BLT71-8, BLT81, S8550, BLT94, BLU11-SL, BLU56, BLU86, BLV12, BLV193, BLV194, BLV58