BLV12 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BLV12
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
Tensión colector-base (Vcb): 36 V
Tensión colector-emisor (Vce): 16 V
Tensión emisor-base (Veb): 3 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 1600 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 90 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 25
Encapsulados: SOT123A
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BLV12 datasheet
blv12.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLV12 VHF power transistor September 1991 Product specification Philips Semiconductors Product specification VHF power transistor BLV12 FEATURES QUICK REFERENCE DATA RF performance at Tmb = 25 C in a common emitter test circuit. Emitter-ballasting resistors for an optimum temperature profile f VCE PL GP C MODE OF OPERATION Excellent
Otros transistores... BLT70 , BLT71-8 , BLT81 , BLT82 , BLT94 , BLU11-SL , BLU56 , BLU86 , A940 , BLV193 , BLV194 , BLV58 , BLV857 , BLV859 , BLV861 , BLV862 , BLV897 .
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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