BLV12 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BLV12
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
Tensión colector-base (Vcb): 36 V
Tensión colector-emisor (Vce): 16 V
Tensión emisor-base (Veb): 3 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 1600 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 90 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
Paquete / Cubierta: SOT123A
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BLV12
BLV12 Datasheet (PDF)
blv12.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV12VHF power transistorSeptember 1991Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationVHF power transistor BLV12FEATURES QUICK REFERENCE DATARF performance at Tmb = 25 C in a common emitter test circuit. Emitter-ballasting resistors for anoptimum temperature profilef VCE PL GP CMODE OF OPERATION Excellent
Otros transistores... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050 | HSA1037AKS