BLV12 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BLV12
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
Tensión colector-base (Vcb): 36 V
Tensión colector-emisor (Vce): 16 V
Tensión emisor-base (Veb): 3 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 1600 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 90 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
Paquete / Cubierta: SOT123A
Búsqueda de reemplazo de BLV12
BLV12 Datasheet (PDF)
blv12.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV12VHF power transistorSeptember 1991Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationVHF power transistor BLV12FEATURES QUICK REFERENCE DATARF performance at Tmb = 25 C in a common emitter test circuit. Emitter-ballasting resistors for anoptimum temperature profilef VCE PL GP CMODE OF OPERATION Excellent
Otros transistores... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SC4793 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
History: BCX40 | 3CA772T



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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