Биполярный транзистор BLV12 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: BLV12
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 16 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1600 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 90 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
Корпус транзистора: SOT123A
Аналог (замена) для BLV12
BLV12 Datasheet (PDF)
blv12.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV12VHF power transistorSeptember 1991Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationVHF power transistor BLV12FEATURES QUICK REFERENCE DATARF performance at Tmb = 25 C in a common emitter test circuit. Emitter-ballasting resistors for anoptimum temperature profilef VCE PL GP CMODE OF OPERATION Excellent
Другие транзисторы... BLT70 , BLT71-8 , BLT81 , BLT82 , BLT94 , BLU11-SL , BLU56 , BLU86 , B772 , BLV193 , BLV194 , BLV58 , BLV857 , BLV859 , BLV861 , BLV862 , BLV897 .
History: BSY92 | CJF6668 | DRA5115G | BCX34 | ZTX3703L | ZTX314K | 2N652A
History: BSY92 | CJF6668 | DRA5115G | BCX34 | ZTX3703L | ZTX314K | 2N652A



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irfb3306 equivalent | irfp460 характеристики | k2837 datasheet | k389 transistor | mje15032g equivalent | nsd134 | 60r190p datasheet | cs30n20 datasheet