BLV12 - описание и поиск аналогов

 

BLV12. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLV12

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 16 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1600 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 90 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: SOT123A

 Аналоги (замена) для BLV12

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BLV12 даташит

 ..1. Size:72K  philips
blv12.pdfpdf_icon

BLV12

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLV12 VHF power transistor September 1991 Product specification Philips Semiconductors Product specification VHF power transistor BLV12 FEATURES QUICK REFERENCE DATA RF performance at Tmb = 25 C in a common emitter test circuit. Emitter-ballasting resistors for an optimum temperature profile f VCE PL GP C MODE OF OPERATION Excellent

Другие транзисторы... BLT70 , BLT71-8 , BLT81 , BLT82 , BLT94 , BLU11-SL , BLU56 , BLU86 , A940 , BLV193 , BLV194 , BLV58 , BLV857 , BLV859 , BLV861 , BLV862 , BLV897 .

History: BC860BW

 

 

 

 

↑ Back to Top
.