Справочник транзисторов. BLV12

 

Биполярный транзистор BLV12 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BLV12
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 16 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1600 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 90 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: SOT123A
 

 Аналог (замена) для BLV12

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BLV12 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:72K  philips
 blv12.pdf pdf_icon

BLV12

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV12VHF power transistorSeptember 1991Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationVHF power transistor BLV12FEATURES QUICK REFERENCE DATARF performance at Tmb = 25 C in a common emitter test circuit. Emitter-ballasting resistors for anoptimum temperature profilef VCE PL GP CMODE OF OPERATION Excellent

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 8050 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

 

 
Back to Top

 


 
.