BLV12. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BLV12
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 16 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1600 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 90 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25
Корпус транзистора: SOT123A
Аналоги (замена) для BLV12
- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам
BLV12 даташит
blv12.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLV12 VHF power transistor September 1991 Product specification Philips Semiconductors Product specification VHF power transistor BLV12 FEATURES QUICK REFERENCE DATA RF performance at Tmb = 25 C in a common emitter test circuit. Emitter-ballasting resistors for an optimum temperature profile f VCE PL GP C MODE OF OPERATION Excellent
Другие транзисторы... BLT70 , BLT71-8 , BLT81 , BLT82 , BLT94 , BLU11-SL , BLU56 , BLU86 , A940 , BLV193 , BLV194 , BLV58 , BLV857 , BLV859 , BLV861 , BLV862 , BLV897 .
History: BC860BW
History: BC860BW
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irfb3306 equivalent | irfp460 характеристики | k2837 datasheet | k389 transistor | mje15032g equivalent | nsd134 | 60r190p datasheet | cs30n20 datasheet

