BLV12 - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

BLV12 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BLV12
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 16 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1600 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 90 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: SOT123A
 

 Аналоги (замена) для BLV12

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BLV12 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:72K  philips
 blv12.pdf pdf_icon

BLV12

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV12VHF power transistorSeptember 1991Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationVHF power transistor BLV12FEATURES QUICK REFERENCE DATARF performance at Tmb = 25 C in a common emitter test circuit. Emitter-ballasting resistors for anoptimum temperature profilef VCE PL GP CMODE OF OPERATION Excellent

Другие транзисторы... BLT70 , BLT71-8 , BLT81 , BLT82 , BLT94 , BLU11-SL , BLU56 , BLU86 , B772 , BLV193 , BLV194 , BLV58 , BLV857 , BLV859 , BLV861 , BLV862 , BLV897 .

 

 
Back to Top

 


 
.