BLV193 Todos los transistores

 

BLV193 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BLV193

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 44 W

Tensión colector-base (Vcb): 36 V

Tensión colector-emisor (Vce): 16 V

Tensión emisor-base (Veb): 3 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Capacitancia de salida (Cc): 24.5 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 25

Encapsulados: SOT171A

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BLV193 datasheet

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BLV193

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLV193 UHF power transistor March 1993 Product specification Philips Semiconductors Product specification UHF power transistor BLV193 FEATURES QUICK REFERENCE DATA RF performance at Th = 25 C in a common emitter test circuit. Emitter ballasting resistors for an optimum temperature profile dim MODE OF f VCE PL Gp C Gold metallization

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BLV193

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLV194 UHF power transistor January 1993 Product specification Philips Semiconductors Product specification UHF power transistor BLV194 FEATURES QUICK REFERENCE DATA RF performance at Th = 25 C in a common emitter test circuit. Emitter-ballasting resistors for an optimum temperature profile MODE OF f VCE PL Gp C Gold metallization ens

Otros transistores... BLT71-8 , BLT81 , BLT82 , BLT94 , BLU11-SL , BLU56 , BLU86 , BLV12 , B772 , BLV194 , BLV58 , BLV857 , BLV859 , BLV861 , BLV862 , BLV897 , BLW30 .

History: 2SC3548 | 2SB1270R | 2SB1388 | 2SB1355

 

 

 

 

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