BLV193 Todos los transistores

 

BLV193 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BLV193
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 44 W
   Tensión colector-base (Vcb): 36 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 16 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Capacitancia de salida (Cc): 24.5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
   Paquete / Cubierta: SOT171A
 

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BLV193 Datasheet (PDF)

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BLV193

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV193UHF power transistorMarch 1993Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationUHF power transistor BLV193FEATURES QUICK REFERENCE DATARF performance at Th = 25 C in a common emitter test circuit. Emitter ballasting resistors for anoptimum temperature profiledimMODE OF f VCE PL Gp C Gold metallization

 9.1. Size:70K  philips
 blv194.pdf pdf_icon

BLV193

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV194UHF power transistorJanuary 1993Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationUHF power transistor BLV194FEATURES QUICK REFERENCE DATARF performance at Th = 25 C in a common emitter test circuit. Emitter-ballasting resistors for anoptimum temperature profileMODE OF f VCE PL Gp C Gold metallization ens

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History: NPS4275 | RN4992AFS

 

 
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