Биполярный транзистор BLV193 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BLV193
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 44 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 16 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 24.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
Корпус транзистора: SOT171A
BLV193 Datasheet (PDF)
blv193.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV193UHF power transistorMarch 1993Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationUHF power transistor BLV193FEATURES QUICK REFERENCE DATARF performance at Th = 25 C in a common emitter test circuit. Emitter ballasting resistors for anoptimum temperature profiledimMODE OF f VCE PL Gp C Gold metallization
blv194.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV194UHF power transistorJanuary 1993Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationUHF power transistor BLV194FEATURES QUICK REFERENCE DATARF performance at Th = 25 C in a common emitter test circuit. Emitter-ballasting resistors for anoptimum temperature profileMODE OF f VCE PL Gp C Gold metallization ens
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , BC557 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050