BLV193 - описание и поиск аналогов

 

BLV193. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLV193

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 44 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 16 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 24.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: SOT171A

 Аналоги (замена) для BLV193

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BLV193 даташит

 ..1. Size:84K  philips
 blv193.pdf pdf_icon

BLV193

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLV193 UHF power transistor March 1993 Product specification Philips Semiconductors Product specification UHF power transistor BLV193 FEATURES QUICK REFERENCE DATA RF performance at Th = 25 C in a common emitter test circuit. Emitter ballasting resistors for an optimum temperature profile dim MODE OF f VCE PL Gp C Gold metallization

 9.1. Size:70K  philips
 blv194.pdf pdf_icon

BLV193

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLV194 UHF power transistor January 1993 Product specification Philips Semiconductors Product specification UHF power transistor BLV194 FEATURES QUICK REFERENCE DATA RF performance at Th = 25 C in a common emitter test circuit. Emitter-ballasting resistors for an optimum temperature profile MODE OF f VCE PL Gp C Gold metallization ens

Другие транзисторы... BLT71-8 , BLT81 , BLT82 , BLT94 , BLU11-SL , BLU56 , BLU86 , BLV12 , B772 , BLV194 , BLV58 , BLV857 , BLV859 , BLV861 , BLV862 , BLV897 , BLW30 .

History: 2SC504O | 2SD113

 

 

 

 

↑ Back to Top
.