Справочник транзисторов. BLV193

 

Биполярный транзистор BLV193 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BLV193
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 44 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 16 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 24.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: SOT171A
 

 Аналог (замена) для BLV193

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BLV193 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:84K  philips
 blv193.pdf pdf_icon

BLV193

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV193UHF power transistorMarch 1993Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationUHF power transistor BLV193FEATURES QUICK REFERENCE DATARF performance at Th = 25 C in a common emitter test circuit. Emitter ballasting resistors for anoptimum temperature profiledimMODE OF f VCE PL Gp C Gold metallization

 9.1. Size:70K  philips
 blv194.pdf pdf_icon

BLV193

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV194UHF power transistorJanuary 1993Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationUHF power transistor BLV194FEATURES QUICK REFERENCE DATARF performance at Th = 25 C in a common emitter test circuit. Emitter-ballasting resistors for anoptimum temperature profileMODE OF f VCE PL Gp C Gold metallization ens

Другие транзисторы... BLT71-8 , BLT81 , BLT82 , BLT94 , BLU11-SL , BLU56 , BLU86 , BLV12 , S8550 , BLV194 , BLV58 , BLV857 , BLV859 , BLV861 , BLV862 , BLV897 , BLW30 .

History: BUR21 | BUD630SMD | KT201DM | BU941TFI

 

 
Back to Top

 


 
.