BLV194 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BLV194
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 46 W
Tensión colector-base (Vcb): 32 V
Tensión colector-emisor (Vce): 16 V
Tensión emisor-base (Veb): 3 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Capacitancia de salida (Cc): 26 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
Paquete / Cubierta: SOT171A
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BLV194
BLV194 Datasheet (PDF)
blv194.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV194UHF power transistorJanuary 1993Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationUHF power transistor BLV194FEATURES QUICK REFERENCE DATARF performance at Th = 25 C in a common emitter test circuit. Emitter-ballasting resistors for anoptimum temperature profileMODE OF f VCE PL Gp C Gold metallization ens
blv193.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV193UHF power transistorMarch 1993Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationUHF power transistor BLV193FEATURES QUICK REFERENCE DATARF performance at Th = 25 C in a common emitter test circuit. Emitter ballasting resistors for anoptimum temperature profiledimMODE OF f VCE PL Gp C Gold metallization
Otros transistores... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2N3906 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050