BLV194 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BLV194
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 46 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 32 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 16 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 26 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
Корпус транзистора: SOT171A
BLV194 Datasheet (PDF)
blv194.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLV194 UHF power transistor January 1993 Product specification Philips Semiconductors Product specification UHF power transistor BLV194 FEATURES QUICK REFERENCE DATA RF performance at Th = 25 C in a common emitter test circuit. Emitter-ballasting resistors for an optimum temperature profile MODE OF f VCE PL Gp C Gold metallization ens
blv193.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLV193 UHF power transistor March 1993 Product specification Philips Semiconductors Product specification UHF power transistor BLV193 FEATURES QUICK REFERENCE DATA RF performance at Th = 25 C in a common emitter test circuit. Emitter ballasting resistors for an optimum temperature profile dim MODE OF f VCE PL Gp C Gold metallization
Другие транзисторы... BLT81 , BLT82 , BLT94 , BLU11-SL , BLU56 , BLU86 , BLV12 , BLV193 , 2SA1837 , BLV58 , BLV857 , BLV859 , BLV861 , BLV862 , BLV897 , BLW30 , BLW97 .
History: MRF654 | DCX114TU | 2SC386
History: MRF654 | DCX114TU | 2SC386
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
k2837 datasheet | k389 transistor | mje15032g equivalent | nsd134 | 60r190p datasheet | cs30n20 datasheet | go42n10 | 2sa970 datasheet



