BLV194 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BLV194  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 46 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 32 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 16 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 26 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: SOT171A

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BLV194

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BLV194 даташит

 ..1. Size:70K  philips
 blv194.pdf pdf_icon

BLV194

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLV194 UHF power transistor January 1993 Product specification Philips Semiconductors Product specification UHF power transistor BLV194 FEATURES QUICK REFERENCE DATA RF performance at Th = 25 C in a common emitter test circuit. Emitter-ballasting resistors for an optimum temperature profile MODE OF f VCE PL Gp C Gold metallization ens

 9.1. Size:84K  philips
 blv193.pdf pdf_icon

BLV194

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLV193 UHF power transistor March 1993 Product specification Philips Semiconductors Product specification UHF power transistor BLV193 FEATURES QUICK REFERENCE DATA RF performance at Th = 25 C in a common emitter test circuit. Emitter ballasting resistors for an optimum temperature profile dim MODE OF f VCE PL Gp C Gold metallization

Другие транзисторы: BLT81, BLT82, BLT94, BLU11-SL, BLU56, BLU86, BLV12, BLV193, 2SA1837, BLV58, BLV857, BLV859, BLV861, BLV862, BLV897, BLW30, BLW97