BLV857 Todos los transistores

 

BLV857 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BLV857
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 80 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 28 V
   Tensión emisor-base (Veb): 2.5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 7.4 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Capacitancia de salida (Cc): 18 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: SOT324B
 

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BLV857 Datasheet (PDF)

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BLV857

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV857UHF linear push-pull powertransistor1997 Jan 16Product specificationSupersedes data of 1995 Oct 04Philips Semiconductors Product specificationUHF linear push-pull power transistor BLV857FEATURES PINNING SOT324B Internal input matching for an optimum widebandPIN SYMBOL DESCRIPTIONcapability and high gain1 c1 collector 1

 9.1. Size:98K  philips
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BLV857

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV859UHF linear push-pull powertransistor1996 Jul 26Product specificationSupersedes data of 1995 Oct 04Philips Semiconductors Product specificationUHF linear push-pull power transistor BLV859FEATURES PINNING SOT262B Double internal input and output matching for anPIN SYMBOL DESCRIPTIONoptimum wideband capability and high gain1 c1

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History: 2N930-51 | HUN5116 | UN1216S | SBT5401

 

 
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