BLV857 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BLV857  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 28 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7.4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 18 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: SOT324B

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BLV857

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BLV857 даташит

 ..1. Size:106K  philips
 blv857.pdf pdf_icon

BLV857

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLV857 UHF linear push-pull power transistor 1997 Jan 16 Product specification Supersedes data of 1995 Oct 04 Philips Semiconductors Product specification UHF linear push-pull power transistor BLV857 FEATURES PINNING SOT324B Internal input matching for an optimum wideband PIN SYMBOL DESCRIPTION capability and high gain 1 c1 collector 1

 9.1. Size:98K  philips
 blv859.pdf pdf_icon

BLV857

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLV859 UHF linear push-pull power transistor 1996 Jul 26 Product specification Supersedes data of 1995 Oct 04 Philips Semiconductors Product specification UHF linear push-pull power transistor BLV859 FEATURES PINNING SOT262B Double internal input and output matching for an PIN SYMBOL DESCRIPTION optimum wideband capability and high gain 1 c1

Другие транзисторы: BLT94, BLU11-SL, BLU56, BLU86, BLV12, BLV193, BLV194, BLV58, TIP35C, BLV859, BLV861, BLV862, BLV897, BLW30, BLW97, BRY39, BRY56