BLV859 Todos los transistores

 

BLV859 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BLV859
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 145 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 28 V
   Tensión emisor-base (Veb): 2.5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Capacitancia de salida (Cc): 36 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: SOT262B
     - Selección de transistores por parámetros

 

BLV859 Datasheet (PDF)

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BLV859

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV859UHF linear push-pull powertransistor1996 Jul 26Product specificationSupersedes data of 1995 Oct 04Philips Semiconductors Product specificationUHF linear push-pull power transistor BLV859FEATURES PINNING SOT262B Double internal input and output matching for anPIN SYMBOL DESCRIPTIONoptimum wideband capability and high gain1 c1

 9.1. Size:106K  philips
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BLV859

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV857UHF linear push-pull powertransistor1997 Jan 16Product specificationSupersedes data of 1995 Oct 04Philips Semiconductors Product specificationUHF linear push-pull power transistor BLV857FEATURES PINNING SOT324B Internal input matching for an optimum widebandPIN SYMBOL DESCRIPTIONcapability and high gain1 c1 collector 1

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: BDX83C | BSS56 | 2SB1204

 

 
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