BLV859 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BLV859
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 145 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 28 V
Tensión emisor-base (Veb): 2.5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Capacitancia de salida (Cc): 36 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
Paquete / Cubierta: SOT262B
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BLV859 Datasheet (PDF)
blv859.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV859UHF linear push-pull powertransistor1996 Jul 26Product specificationSupersedes data of 1995 Oct 04Philips Semiconductors Product specificationUHF linear push-pull power transistor BLV859FEATURES PINNING SOT262B Double internal input and output matching for anPIN SYMBOL DESCRIPTIONoptimum wideband capability and high gain1 c1
blv857.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV857UHF linear push-pull powertransistor1997 Jan 16Product specificationSupersedes data of 1995 Oct 04Philips Semiconductors Product specificationUHF linear push-pull power transistor BLV857FEATURES PINNING SOT324B Internal input matching for an optimum widebandPIN SYMBOL DESCRIPTIONcapability and high gain1 c1 collector 1
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