BLV859 Todos los transistores

 

BLV859 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BLV859

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 145 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 28 V

Tensión emisor-base (Veb): 2.5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Capacitancia de salida (Cc): 36 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: SOT262B

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BLV859 datasheet

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BLV859

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLV859 UHF linear push-pull power transistor 1996 Jul 26 Product specification Supersedes data of 1995 Oct 04 Philips Semiconductors Product specification UHF linear push-pull power transistor BLV859 FEATURES PINNING SOT262B Double internal input and output matching for an PIN SYMBOL DESCRIPTION optimum wideband capability and high gain 1 c1

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BLV859

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLV857 UHF linear push-pull power transistor 1997 Jan 16 Product specification Supersedes data of 1995 Oct 04 Philips Semiconductors Product specification UHF linear push-pull power transistor BLV857 FEATURES PINNING SOT324B Internal input matching for an optimum wideband PIN SYMBOL DESCRIPTION capability and high gain 1 c1 collector 1

Otros transistores... BLU11-SL , BLU56 , BLU86 , BLV12 , BLV193 , BLV194 , BLV58 , BLV857 , BD135 , BLV861 , BLV862 , BLV897 , BLW30 , BLW97 , BRY39 , BRY56 , BRY56A .

History: BLV857 | 2SC2983-O

 

 

 

 

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