Биполярный транзистор BLV859 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: BLV859
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 145 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 28 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2.5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 36 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: SOT262B
Аналог (замена) для BLV859
BLV859 Datasheet (PDF)
blv859.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV859UHF linear push-pull powertransistor1996 Jul 26Product specificationSupersedes data of 1995 Oct 04Philips Semiconductors Product specificationUHF linear push-pull power transistor BLV859FEATURES PINNING SOT262B Double internal input and output matching for anPIN SYMBOL DESCRIPTIONoptimum wideband capability and high gain1 c1
blv857.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV857UHF linear push-pull powertransistor1997 Jan 16Product specificationSupersedes data of 1995 Oct 04Philips Semiconductors Product specificationUHF linear push-pull power transistor BLV857FEATURES PINNING SOT324B Internal input matching for an optimum widebandPIN SYMBOL DESCRIPTIONcapability and high gain1 c1 collector 1
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SC4793 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
History: BTD1857AJ3G | CSC1684R
History: BTD1857AJ3G | CSC1684R



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
nsd134 | 60r190p datasheet | cs30n20 datasheet | go42n10 | 2sa970 datasheet | 2sc1627 | aoe6936 datasheet | g40t60an3h datasheet