BLV859 - описание и поиск аналогов

 

BLV859. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLV859

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 145 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 28 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 36 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: SOT262B

 Аналоги (замена) для BLV859

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BLV859 даташит

 ..1. Size:98K  philips
 blv859.pdf pdf_icon

BLV859

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLV859 UHF linear push-pull power transistor 1996 Jul 26 Product specification Supersedes data of 1995 Oct 04 Philips Semiconductors Product specification UHF linear push-pull power transistor BLV859 FEATURES PINNING SOT262B Double internal input and output matching for an PIN SYMBOL DESCRIPTION optimum wideband capability and high gain 1 c1

 9.1. Size:106K  philips
 blv857.pdf pdf_icon

BLV859

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLV857 UHF linear push-pull power transistor 1997 Jan 16 Product specification Supersedes data of 1995 Oct 04 Philips Semiconductors Product specification UHF linear push-pull power transistor BLV857 FEATURES PINNING SOT324B Internal input matching for an optimum wideband PIN SYMBOL DESCRIPTION capability and high gain 1 c1 collector 1

Другие транзисторы: BLU11-SL, BLU56, BLU86, BLV12, BLV193, BLV194, BLV58, BLV857, BD135, BLV861, BLV862, BLV897, BLW30, BLW97, BRY39, BRY56, BRY56A

 

 

 

 

↑ Back to Top
.