BLV862 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BLV862
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 350 W
   Tensión colector-base (Vcb): 65 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 25 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Capacitancia de salida (Cc): 75 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: SOT262B

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BLV862

BLV862 Datasheet (PDF)

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DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D091BLV862UHF linear push-pull powertransistor1999 Jun 25Product specificationSupersedes data of 1997 Oct 14Philips Semiconductors Product specificationUHF linear push-pull power transistor BLV862FEATURES PINNING Double stage internal input and output matchingPIN SYMBOL DESCRIPTIONnetworks for an optimum wideband capability and

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DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D099BLV861UHF linear push-pull powertransistor1998 Jan 16Product specificationSupersedes data of 1998 Jan 14Philips Semiconductors Product specificationUHF linear push-pull power transistor BLV861FEATURES PINNING Double stage internal input and output matchingPIN SYMBOL DESCRIPTIONnetworks for an optimum wideband

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: HNT1T018 | DRC4523Y

Liste

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