Биполярный транзистор BLV862 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BLV862
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 350 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 75 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: SOT262B
BLV862 Datasheet (PDF)
blv862.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D091BLV862UHF linear push-pull powertransistor1999 Jun 25Product specificationSupersedes data of 1997 Oct 14Philips Semiconductors Product specificationUHF linear push-pull power transistor BLV862FEATURES PINNING Double stage internal input and output matchingPIN SYMBOL DESCRIPTIONnetworks for an optimum wideband capability and
blv861.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D099BLV861UHF linear push-pull powertransistor1998 Jan 16Product specificationSupersedes data of 1998 Jan 14Philips Semiconductors Product specificationUHF linear push-pull power transistor BLV861FEATURES PINNING Double stage internal input and output matchingPIN SYMBOL DESCRIPTIONnetworks for an optimum wideband
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , A1015 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
