BLW30 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BLW30
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
Tensión colector-base (Vcb): 36 V
Tensión colector-emisor (Vce): 16 V
Tensión emisor-base (Veb): 3 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 1600 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 90 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 25
Encapsulados: SOT120A
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BLW30 datasheet
blw30.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLW30 VHF power transistor September 1991 Product specification Philips Semiconductors Product specification VHF power transistor BLW30 FEATURES QUICK REFERENCE DATA RF performance at Tmb = 25 C in a common emitter test circuit. Emitter-ballasting resistors for an optimum temperature profile MODE OF f VCE PL GP C Excellent reliability
Otros transistores... BLV193 , BLV194 , BLV58 , BLV857 , BLV859 , BLV861 , BLV862 , BLV897 , TIP127 , BLW97 , BRY39 , BRY56 , BRY56A , BRY61 , BRY62 , BU1506DX , BU1507AX .
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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