BLW30 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BLW30
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
Tensión colector-base (Vcb): 36 V
Tensión colector-emisor (Vce): 16 V
Tensión emisor-base (Veb): 3 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 1600 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 90 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
Paquete / Cubierta: SOT120A
Búsqueda de reemplazo de BLW30
BLW30 Datasheet (PDF)
blw30.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLW30VHF power transistorSeptember 1991Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationVHF power transistor BLW30FEATURES QUICK REFERENCE DATARF performance at Tmb = 25 C in a common emitter test circuit. Emitter-ballasting resistors for anoptimum temperature profileMODE OF f VCE PL GP C Excellent reliability
Otros transistores... BLV193 , BLV194 , BLV58 , BLV857 , BLV859 , BLV861 , BLV862 , BLV897 , 2SC945 , BLW97 , BRY39 , BRY56 , BRY56A , BRY61 , BRY62 , BU1506DX , BU1507AX .
History: 2SC335 | H1302 | 2SA1556 | 2SD599 | 3CG1091 | 2N903 | ECG187
History: 2SC335 | H1302 | 2SA1556 | 2SD599 | 3CG1091 | 2N903 | ECG187



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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