BLW30 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BLW30
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
Tensión colector-base (Vcb): 36 V
Tensión colector-emisor (Vce): 16 V
Tensión emisor-base (Veb): 3 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 1600 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 90 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
Paquete / Cubierta: SOT120A
Búsqueda de reemplazo de BLW30
BLW30 Datasheet (PDF)
blw30.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLW30VHF power transistorSeptember 1991Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationVHF power transistor BLW30FEATURES QUICK REFERENCE DATARF performance at Tmb = 25 C in a common emitter test circuit. Emitter-ballasting resistors for anoptimum temperature profileMODE OF f VCE PL GP C Excellent reliability
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: BD109D | BCW65ALT1 | 2SC3138 | D28A13 | 2SA1783 | 2SD1609 | 2SC3152M
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Liste
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