Биполярный транзистор BLW30 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: BLW30
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 16 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1600 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 90 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
Корпус транзистора: SOT120A
Аналог (замена) для BLW30
BLW30 Datasheet (PDF)
blw30.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLW30VHF power transistorSeptember 1991Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationVHF power transistor BLW30FEATURES QUICK REFERENCE DATARF performance at Tmb = 25 C in a common emitter test circuit. Emitter-ballasting resistors for anoptimum temperature profileMODE OF f VCE PL GP C Excellent reliability
Другие транзисторы... BLV193 , BLV194 , BLV58 , BLV857 , BLV859 , BLV861 , BLV862 , BLV897 , 2SC945 , BLW97 , BRY39 , BRY56 , BRY56A , BRY61 , BRY62 , BU1506DX , BU1507AX .
History: 2SB180 | 2N3547 | 2N3018 | 2N101-13 | 2SC5597 | 2SA930G | 2N3323
History: 2SB180 | 2N3547 | 2N3018 | 2N101-13 | 2SC5597 | 2SA930G | 2N3323



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sa970 datasheet | 2sc1627 | aoe6936 datasheet | g40t60an3h datasheet | j5027-r datasheet | transistor a1015 datasheet | bf199 transistor equivalent | bu801