BLW30. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BLW30
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 16 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1600 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 90 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25
Корпус транзистора: SOT120A
Аналоги (замена) для BLW30
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BLW30 даташит
blw30.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLW30 VHF power transistor September 1991 Product specification Philips Semiconductors Product specification VHF power transistor BLW30 FEATURES QUICK REFERENCE DATA RF performance at Tmb = 25 C in a common emitter test circuit. Emitter-ballasting resistors for an optimum temperature profile MODE OF f VCE PL GP C Excellent reliability
Другие транзисторы: BLV193, BLV194, BLV58, BLV857, BLV859, BLV861, BLV862, BLV897, TIP127, BLW97, BRY39, BRY56, BRY56A, BRY61, BRY62, BU1506DX, BU1507AX
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sa970 datasheet | 2sc1627 | aoe6936 datasheet | g40t60an3h datasheet | j5027-r datasheet | transistor a1015 datasheet | bf199 transistor equivalent | bu801

