BLW30 - описание и поиск аналогов

 

BLW30. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLW30

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 16 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1600 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 90 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: SOT120A

 Аналоги (замена) для BLW30

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BLW30 даташит

 ..1. Size:72K  philips
blw30.pdfpdf_icon

BLW30

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLW30 VHF power transistor September 1991 Product specification Philips Semiconductors Product specification VHF power transistor BLW30 FEATURES QUICK REFERENCE DATA RF performance at Tmb = 25 C in a common emitter test circuit. Emitter-ballasting resistors for an optimum temperature profile MODE OF f VCE PL GP C Excellent reliability

Другие транзисторы: BLV193, BLV194, BLV58, BLV857, BLV859, BLV861, BLV862, BLV897, TIP127, BLW97, BRY39, BRY56, BRY56A, BRY61, BRY62, BU1506DX, BU1507AX

 

 

 

 

↑ Back to Top
.