ZXT11N15DF Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ZXT11N15DF  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W

Tensión colector-emisor (Vce): 15 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 145 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 300

Encapsulados: SOT23

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ZXT11N15DF datasheet

 ..1. Size:416K  diodes
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ZXT11N15DF

ZXT11N15DF SuperSOT4 15V NPN SILICON LOW SATURATION TRANSISTOR SUMMARY VCEO=15V; RSAT = 37m ; IC= 3A DESCRIPTION This new 4th generation ultra low saturation transistor utilises the Zetex matrix structure combined with advanced assembly techniques to give SOT23 extremely low on state losses. This makes it ideal for high efficiency, low voltage switching applications. FEATURES

 8.1. Size:411K  diodes
 zxt11n20df.pdf pdf_icon

ZXT11N15DF

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