Справочник транзисторов. ZXT11N15DF

 

Биполярный транзистор ZXT11N15DF - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: ZXT11N15DF
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 145 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
   Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для ZXT11N15DF

 

 

ZXT11N15DF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:416K  diodes
zxt11n15df.pdf

ZXT11N15DF
ZXT11N15DF

ZXT11N15DFSuperSOT415V NPN SILICON LOW SATURATION TRANSISTORSUMMARYVCEO=15V; RSAT = 37m ; IC= 3ADESCRIPTIONThis new 4th generation ultra low saturation transistor utilises the Zetexmatrix structure combined with advanced assembly techniques to giveSOT23extremely low on state losses. This makes it ideal for high efficiency, lowvoltage switching applications.FEATURES

 8.1. Size:411K  diodes
zxt11n20df.pdf

ZXT11N15DF
ZXT11N15DF

ZXT11N20DFSuperSOT420V NPN SILICON LOW SATURATION TRANSISTORSUMMARYVCEO=20V; RSAT = 40m ; IC= 2.5ADESCRIPTIONThis new 4th generation ultra low saturation transistor utilises the Zetexmatrix structure combined with advanced assembly techniques to giveextremely low on state losses. This makes it ideal for high efficiency, lowSOT23voltage switching applications.FEATURES

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

 

 
Back to Top