DZT5551 Todos los transistores

 

DZT5551 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DZT5551
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 160 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
   Paquete / Cubierta: SOT223
 

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DZT5551 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:149K  diodes
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DZT5551

DZT5551160V NPN VOLTAGE TRANSISTOR IN SOT223 Features Mechanical Data BVCEO > 160V Case: SOT223 Case material: molded plastic. Green molding compound. BVEBO > 6V UL Flammability Rating 94V-0 IC = 600mA Continuous Collector Current Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 Low Saturation Voltage (150mV max @10mA) Terminals: Finish -

 0.1. Size:486K  diodes
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DZT5551

DZT5551Q 160V NPN VOLTAGE TRANSISTOR IN SOT223 Description Mechanical Data This Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the Case: SOT223 stringent requirements of Automotive Applications. Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 Features Ter

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History: 3CG1981 | 3CG2907 | 3CG1037AK | 3CD940 | BC415B

 

 
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