DZT5551 - описание и поиск аналогов

 

DZT5551. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DZT5551

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SOT223

 Аналоги (замена) для DZT5551

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DZT5551 даташит

 ..1. Size:149K  diodes
 dzt5551.pdf pdf_icon

DZT5551

DZT5551 160V NPN VOLTAGE TRANSISTOR IN SOT223 Features Mechanical Data BVCEO > 160V Case SOT223 Case material molded plastic. Green molding compound. BVEBO > 6V UL Flammability Rating 94V-0 IC = 600mA Continuous Collector Current Moisture Sensitivity Level 1 per J-STD-020 Low Saturation Voltage (150mV max @10mA) Terminals Finish -

 0.1. Size:486K  diodes
 dzt5551q.pdf pdf_icon

DZT5551

DZT5551Q 160V NPN VOLTAGE TRANSISTOR IN SOT223 Description Mechanical Data This Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the Case SOT223 stringent requirements of Automotive Applications. Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Moisture Sensitivity Level 1 per J-STD-020 Features Ter

Другие транзисторы: DXT5401, DXT5551, DXT5551P5, DXTA42, DXTA92, DXTP03200BP5, DXTP560BP5, DZT5401, TIP41C, DZT658, DZT955, DZTA42, DZTA92, FCX555, FCX658A, FMMT459, FMMT560

 

 

 

 

↑ Back to Top
.