HBDM60V600W . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HBDM60V600W
Código: HB01
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN*PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 5.5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
Paquete / Cubierta: SOT363
- Selección de transistores por parámetros
HBDM60V600W Datasheet (PDF)
hbdm60v600w.pdf

HBDM60V600WCOMPLEX TRANSISTOR ARRAY FOR BIPOLAR TRANSISTOR HALF H-BRIDGE MOTOR/ACTUATOR DRIVER Please click here to visit our online spice models database.Features Mechanical Data Epitaxial Planar Die Construction Case: SOT-363 Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1) Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rat
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History: ZTX302M | NSVF4009SG4
History: ZTX302M | NSVF4009SG4



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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