Биполярный транзистор HBDM60V600W - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: HBDM60V600W
Маркировка: HB01
Тип материала: Si
Полярность: NPN*PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5.5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT363
Аналоги (замена) для HBDM60V600W
HBDM60V600W Datasheet (PDF)
..1. Size:194K diodes
hbdm60v600w.pdf
hbdm60v600w.pdf
HBDM60V600WCOMPLEX TRANSISTOR ARRAY FOR BIPOLAR TRANSISTOR HALF H-BRIDGE MOTOR/ACTUATOR DRIVER Please click here to visit our online spice models database.Features Mechanical Data Epitaxial Planar Die Construction Case: SOT-363 Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1) Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rat
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050