HBDM60V600W datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HBDM60V600W  📄📄 

Маркировка: HB01

Тип материала: Si

Полярность: NPN*PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT363

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для HBDM60V600W

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HBDM60V600W даташит

 ..1. Size:194K  diodes
 hbdm60v600w.pdf pdf_icon

HBDM60V600W

HBDM60V600W COMPLEX TRANSISTOR ARRAY FOR BIPOLAR TRANSISTOR HALF H-BRIDGE MOTOR/ACTUATOR DRIVER Please click here to visit our online spice models database. Features Mechanical Data Epitaxial Planar Die Construction Case SOT-363 Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1) Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rat

Другие транзисторы: DZT953, FCX1053A, FCX493, FCX593, FMMT493A, FMMT620, 2SB1412-Q, FZT1053A, 2SC5200, MMBT2907AT, MMDT2227, MMDT2227M, MMDT2907A, MMDT2907V, MMST2907A, MMSTA05, MMSTA06