FJB102 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FJB102
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 80 W
Tensión colector-base (Vcb): 100 V
Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hFE): 1000
Encapsulados: TO263
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FJB102 datasheet
fjb102.pdf
FJB102 High Voltage Power Darlington Transistor Features High DC Current Gain hFE=1000 @ VCE=4V, IC=3A (Min.) Low Collector-Emitter Saturation Voltage High Collector-Emitter Sustaining Voltage Monolithic Construction with Built-in Base-Emitter Shunt Resistors Industrial Use Equivalent Circuit C B D2-PAK 1 R1 R2 1.Base 2.Collector 3.Emitter E R1 10k
Otros transistores... 2SA1943 , 2SC5200 , BDW94CF , FJA13009 , FJA4210 , FJA4213 , FJA4310 , FJA4313 , BC549 , FJB3307D , FJD3076 , FJD3305H1 , FJD5304D , FJD5553 , FJD5555 , FJE3303 , FJE5304D .
History: 3DG4401 | 3DG4155A
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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