FJB102 Todos los transistores

 

FJB102 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FJB102
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 80 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 1000
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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FJB102 Datasheet (PDF)

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FJB102

FJB102High Voltage Power Darlington TransistorFeatures High DC Current Gain : hFE=1000 @ VCE=4V, IC=3A (Min.) Low Collector-Emitter Saturation Voltage High Collector-Emitter Sustaining Voltage Monolithic Construction with Built-in Base-Emitter Shunt Resistors Industrial UseEquivalent CircuitCBD2-PAK1R1 R21.Base 2.Collector 3.EmitterER1 10k

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History: 2SA1800

 

 
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