Справочник транзисторов. FJB102

 

Биполярный транзистор FJB102 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: FJB102
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
   Корпус транзистора: TO263
 

 Аналог (замена) для FJB102

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FJB102 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:159K  fairchild semi
 fjb102.pdf pdf_icon

FJB102

FJB102High Voltage Power Darlington TransistorFeatures High DC Current Gain : hFE=1000 @ VCE=4V, IC=3A (Min.) Low Collector-Emitter Saturation Voltage High Collector-Emitter Sustaining Voltage Monolithic Construction with Built-in Base-Emitter Shunt Resistors Industrial UseEquivalent CircuitCBD2-PAK1R1 R21.Base 2.Collector 3.EmitterER1 10k

Другие транзисторы... 2SA1943 , 2SC5200 , BDW94CF , FJA13009 , FJA4210 , FJA4213 , FJA4310 , FJA4313 , 2222A , FJB3307D , FJD3076 , FJD3305H1 , FJD5304D , FJD5553 , FJD5555 , FJE3303 , FJE5304D .

 

 
Back to Top

 


 
.