Справочник транзисторов. FJB102

 

Биполярный транзистор FJB102 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: FJB102
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
   Корпус транзистора: TO263
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

FJB102 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:159K  fairchild semi
 fjb102.pdf pdf_icon

FJB102

FJB102High Voltage Power Darlington TransistorFeatures High DC Current Gain : hFE=1000 @ VCE=4V, IC=3A (Min.) Low Collector-Emitter Saturation Voltage High Collector-Emitter Sustaining Voltage Monolithic Construction with Built-in Base-Emitter Shunt Resistors Industrial UseEquivalent CircuitCBD2-PAK1R1 R21.Base 2.Collector 3.EmitterER1 10k

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2N2453A | 2SA557 | 2N5050 | 2SB959 | MA2043 | 2SC4467Y | 2SA819

 

 
Back to Top

 


 
.