FJB102 - описание и поиск аналогов

 

FJB102. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FJB102

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 1000

Корпус транзистора: TO263

 Аналоги (замена) для FJB102

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FJB102 даташит

 ..1. Size:159K  fairchild semi
 fjb102.pdf pdf_icon

FJB102

FJB102 High Voltage Power Darlington Transistor Features High DC Current Gain hFE=1000 @ VCE=4V, IC=3A (Min.) Low Collector-Emitter Saturation Voltage High Collector-Emitter Sustaining Voltage Monolithic Construction with Built-in Base-Emitter Shunt Resistors Industrial Use Equivalent Circuit C B D2-PAK 1 R1 R2 1.Base 2.Collector 3.Emitter E R1 10k

Другие транзисторы: 2SA1943, 2SC5200, BDW94CF, FJA13009, FJA4210, FJA4213, FJA4310, FJA4313, BC549, FJB3307D, FJD3076, FJD3305H1, FJD5304D, FJD5553, FJD5555, FJE3303, FJE5304D

 

 

 

 

↑ Back to Top
.