FJD3076 Todos los transistores

 

FJD3076 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FJD3076
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 32 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 130
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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FJD3076 Datasheet (PDF)

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FJD3076

FJD3076Power Amplifier Applications Low Collector-Emitter Saturation VoltageD-PACK11. Base 2. Collector 3. EmitterNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage 32 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 VIC Collector Current 2 A PC Collector D

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