FJD3076 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FJD3076
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
Tensión colector-base (Vcb): 40 V
Tensión colector-emisor (Vce): 32 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hFE): 130
Encapsulados: TO252
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FJD3076 datasheet
fjd3076.pdf
FJD3076 Power Amplifier Applications Low Collector-Emitter Saturation Voltage D-PACK 1 1. Base 2. Collector 3. Emitter NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage 32 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current 2 A PC Collector D
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Liste
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