FJD3076 - описание и поиск аналогов

 

FJD3076. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FJD3076

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 130

Корпус транзистора: TO252

 Аналоги (замена) для FJD3076

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FJD3076 даташит

 ..1. Size:47K  fairchild semi
 fjd3076.pdf pdf_icon

FJD3076

FJD3076 Power Amplifier Applications Low Collector-Emitter Saturation Voltage D-PACK 1 1. Base 2. Collector 3. Emitter NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage 32 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current 2 A PC Collector D

Другие транзисторы: BDW94CF, FJA13009, FJA4210, FJA4213, FJA4310, FJA4313, FJB102, FJB3307D, 2SA1015, FJD3305H1, FJD5304D, FJD5553, FJD5555, FJE3303, FJE5304D, FJI5603D, FJL4215

 

 

 

 

↑ Back to Top
.