Биполярный транзистор FJD3076 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: FJD3076
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 130
Корпус транзистора: TO252
Аналог (замена) для FJD3076
FJD3076 Datasheet (PDF)
fjd3076.pdf

FJD3076Power Amplifier Applications Low Collector-Emitter Saturation VoltageD-PACK11. Base 2. Collector 3. EmitterNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage 32 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 VIC Collector Current 2 A PC Collector D
Другие транзисторы... BDW94CF , FJA13009 , FJA4210 , FJA4213 , FJA4310 , FJA4313 , FJB102 , FJB3307D , 2SC2240 , FJD3305H1 , FJD5304D , FJD5553 , FJD5555 , FJE3303 , FJE5304D , FJI5603D , FJL4215 .
History: HA7510 | A179B



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
tip141 | 2n404 | 2n4250 | d882 transistor equivalent | 17n80c3 | bc107 transistor | rjp63g4 datasheet | 2sc1115