FJD3305H1 Todos los transistores

 

FJD3305H1 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FJD3305H1
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1.1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 700 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 400 V
   Tensión emisor-base (Veb): 9 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 19
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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FJD3305H1 Datasheet (PDF)

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FJD3305H1

April 2009FJD3305H1NPN Silicon TransistorHigh Voltage Switch Mode Application Fast Speed Switching Wide Safe Operating Area Suitable for Electronic Ballast ApplicationDPAK11. Base 2. Collector 3. EmitterAbsolute Maximum Ratings * TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 700 VVCEO Collector-Emitter Voltage 400 VVE

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2SC4501L | MMPQ6842 | 2SD207 | BSR17AR | 2SA1202 | 2SD26C | FMMTA55

 

 
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