Справочник транзисторов. FJD3305H1

 

Биполярный транзистор FJD3305H1 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: FJD3305H1
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 19
   Корпус транзистора: TO252
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

FJD3305H1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:485K  fairchild semi
 fjd3305h1.pdf pdf_icon

FJD3305H1

April 2009FJD3305H1NPN Silicon TransistorHigh Voltage Switch Mode Application Fast Speed Switching Wide Safe Operating Area Suitable for Electronic Ballast ApplicationDPAK11. Base 2. Collector 3. EmitterAbsolute Maximum Ratings * TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 700 VVCEO Collector-Emitter Voltage 400 VVE

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: MMDT4126 | MJ13334 | DTA024EEB | DRC3A43X | KRC407V | BF393 | ZTX454

 

 
Back to Top

 


 
.