Биполярный транзистор FJD3305H1 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: FJD3305H1
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 19
Корпус транзистора: TO252
Аналоги (замена) для FJD3305H1
FJD3305H1 Datasheet (PDF)
..1. Size:485K fairchild semi
fjd3305h1.pdf
fjd3305h1.pdf
April 2009FJD3305H1NPN Silicon TransistorHigh Voltage Switch Mode Application Fast Speed Switching Wide Safe Operating Area Suitable for Electronic Ballast ApplicationDPAK11. Base 2. Collector 3. EmitterAbsolute Maximum Ratings * TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 700 VVCEO Collector-Emitter Voltage 400 VVE
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: KSC1173Y | 2SA1036-Q
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050