Справочник транзисторов. FJD3305H1

 

Биполярный транзистор FJD3305H1 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: FJD3305H1
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 19
   Корпус транзистора: TO252
 

 Аналог (замена) для FJD3305H1

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FJD3305H1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:485K  fairchild semi
 fjd3305h1.pdf pdf_icon

FJD3305H1

April 2009FJD3305H1NPN Silicon TransistorHigh Voltage Switch Mode Application Fast Speed Switching Wide Safe Operating Area Suitable for Electronic Ballast ApplicationDPAK11. Base 2. Collector 3. EmitterAbsolute Maximum Ratings * TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 700 VVCEO Collector-Emitter Voltage 400 VVE

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 8050 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: BDX11

 

 
Back to Top

 


 
.