FJD3305H1 - описание и поиск аналогов

 

FJD3305H1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FJD3305H1

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 19

Корпус транзистора: TO252

 Аналоги (замена) для FJD3305H1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FJD3305H1 даташит

 ..1. Size:485K  fairchild semi
 fjd3305h1.pdf pdf_icon

FJD3305H1

April 2009 FJD3305H1 NPN Silicon Transistor High Voltage Switch Mode Application Fast Speed Switching Wide Safe Operating Area Suitable for Electronic Ballast Application DPAK 1 1. Base 2. Collector 3. Emitter Absolute Maximum Ratings * TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 700 V VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V VE

Другие транзисторы: FJA13009, FJA4210, FJA4213, FJA4310, FJA4313, FJB102, FJB3307D, FJD3076, BC556, FJD5304D, FJD5553, FJD5555, FJE3303, FJE5304D, FJI5603D, FJL4215, FJL4315

 

 

 

 

↑ Back to Top
.