2N1160 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N1160

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 90 W

Tensión colector-base (Vcb): 80 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 20 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 0.1 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 20

Encapsulados: TO3

 Búsqueda de reemplazo de 2N1160

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

2N1160 datasheet

 9.1. Size:289K  rca
 2n1169.pdf pdf_icon

2N1160

Otros transistores... 2N1155, 2N1156, 2N1157, 2N1157A, 2N1158, 2N1158A, 2N1159, 2N116, BD136, 2N1162, 2N1162A, 2N1163, 2N1163A, 2N1164, 2N1164A, 2N1165, 2N1165A