2N1160 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 2N1160
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 90 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 20 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 0.1 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO3
     - Selección de transistores por parámetros