Биполярный транзистор 2N1160 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: 2N1160
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 20 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.1 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO3

Другие транзисторы... 2N1155 , 2N1156 , 2N1157 , 2N1157A , 2N1158 , 2N1158A , 2N1159 , 2N116 , 2SC6090LS , 2N1162 , 2N1162A , 2N1163 , 2N1163A , 2N1164 , 2N1164A , 2N1165 , 2N1165A .