2N1160. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N1160

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 20 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.1 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 2N1160

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N1160 даташит

 9.1. Size:289K  rca
 2n1169.pdf pdf_icon

2N1160

Другие транзисторы: 2N1155, 2N1156, 2N1157, 2N1157A, 2N1158, 2N1158A, 2N1159, 2N116, BD136, 2N1162, 2N1162A, 2N1163, 2N1163A, 2N1164, 2N1164A, 2N1165, 2N1165A