EC4H09C Todos los transistores

 

EC4H09C . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: EC4H09C
   Código: M
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.12 W
   Tensión colector-base (Vcb): 10 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 3.5 V
   Tensión emisor-base (Veb): 2.5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.04 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 20000 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
   Paquete / Cubierta: ECSP1008-4
 

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EC4H09C Datasheet (PDF)

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EC4H09C

Ordering number : ENA1267 EC4H09CSANYO SemiconductorsDATA SHEETNPN Epitaxial Planar Silicon TransistorUHF to X Band Low-Noise AmplifierEC4H09Cand OSC ApplicationsFeatures High cut-off frequency : fT=26GHz typ (VCE=3V). Low operating voltage. High gain : S21e2=16.5dB typ (f=2GHz). Halogen free compliance (UL94 HB).SpecificationsAbsolute Maximum Ratings

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History: 2N1138

 

 
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