EC4H09C . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: EC4H09C
Código: M
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.12 W
Tensión colector-base (Vcb): 10 V
Tensión colector-emisor (Vce): 3.5 V
Tensión emisor-base (Veb): 2.5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.04 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 20000 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
Paquete / Cubierta: ECSP1008-4
Búsqueda de reemplazo de EC4H09C
EC4H09C Datasheet (PDF)
ec4h09c.pdf

Ordering number : ENA1267 EC4H09CSANYO SemiconductorsDATA SHEETNPN Epitaxial Planar Silicon TransistorUHF to X Band Low-Noise AmplifierEC4H09Cand OSC ApplicationsFeatures High cut-off frequency : fT=26GHz typ (VCE=3V). Low operating voltage. High gain : S21e2=16.5dB typ (f=2GHz). Halogen free compliance (UL94 HB).SpecificationsAbsolute Maximum Ratings
Otros transistores... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , TIP42C , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
History: SCH2202 | 2N5399



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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