EC4H09C Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: EC4H09C
Código: M
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.12 W
Tensión colector-base (Vcb): 10 V
Tensión colector-emisor (Vce): 3.5 V
Tensión emisor-base (Veb): 2.5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.04 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 20000 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 70
Encapsulados: ECSP1008-4
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EC4H09C datasheet
ec4h09c.pdf
Ordering number ENA1267 EC4H09C SANYO Semiconductors DATA SHEET NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor UHF to X Band Low-Noise Amplifier EC4H09C and OSC Applications Features High cut-off frequency fT=26GHz typ (VCE=3V). Low operating voltage. High gain S21e 2=16.5dB typ (f=2GHz). Halogen free compliance (UL94 HB). Specifications Absolute Maximum Ratings
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History: DTC114TE
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Liste
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