Биполярный транзистор EC4H09C - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: EC4H09C
Маркировка: M
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.12 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 10 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 3.5 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2.5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.04 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20000 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: ECSP1008-4
EC4H09C Datasheet (PDF)
..1. Size:47K sanyo
ec4h09c.pdf
ec4h09c.pdf
Ordering number : ENA1267 EC4H09CSANYO SemiconductorsDATA SHEETNPN Epitaxial Planar Silicon TransistorUHF to X Band Low-Noise AmplifierEC4H09Cand OSC ApplicationsFeatures High cut-off frequency : fT=26GHz typ (VCE=3V). Low operating voltage. High gain : S21e2=16.5dB typ (f=2GHz). Halogen free compliance (UL94 HB).SpecificationsAbsolute Maximum Ratings
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050