EC4H09C - описание и поиск аналогов

 

EC4H09C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: EC4H09C

Маркировка: M

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.12 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 10 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 3.5 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.04 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20000 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: ECSP1008-4

 Аналоги (замена) для EC4H09C

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

EC4H09C даташит

 ..1. Size:47K  sanyo
 ec4h09c.pdf pdf_icon

EC4H09C

Ordering number ENA1267 EC4H09C SANYO Semiconductors DATA SHEET NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor UHF to X Band Low-Noise Amplifier EC4H09C and OSC Applications Features High cut-off frequency fT=26GHz typ (VCE=3V). Low operating voltage. High gain S21e 2=16.5dB typ (f=2GHz). Halogen free compliance (UL94 HB). Specifications Absolute Maximum Ratings

Другие транзисторы: DTC115EE, DTC123JE, DTC124EE, DTC124XE, DTC143EE, DTC143ZE, DTC144EE, EC3H02BA, 13009, ECH8501, EMD4DXV6, EMF18, EMF5XV6T5, EMG2DXV5, EMG5DXV5, EMX1, EMX2DXV6

 

 

 

 

↑ Back to Top
.