Справочник транзисторов. EC4H09C

 

Биполярный транзистор EC4H09C Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: EC4H09C
   Маркировка: M
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.12 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 10 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 3.5 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2.5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.04 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20000 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
   Корпус транзистора: ECSP1008-4
 

 Аналог (замена) для EC4H09C

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

EC4H09C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:47K  sanyo
 ec4h09c.pdf pdf_icon

EC4H09C

Ordering number : ENA1267 EC4H09CSANYO SemiconductorsDATA SHEETNPN Epitaxial Planar Silicon TransistorUHF to X Band Low-Noise AmplifierEC4H09Cand OSC ApplicationsFeatures High cut-off frequency : fT=26GHz typ (VCE=3V). Low operating voltage. High gain : S21e2=16.5dB typ (f=2GHz). Halogen free compliance (UL94 HB).SpecificationsAbsolute Maximum Ratings

Другие транзисторы... DTC115EE , DTC123JE , DTC124EE , DTC124XE , DTC143EE , DTC143ZE , DTC144EE , EC3H02BA , BC548 , ECH8501 , EMD4DXV6 , EMF18 , EMF5XV6T5 , EMG2DXV5 , EMG5DXV5 , EMX1 , EMX2DXV6 .

History: 2SD632

 

 
Back to Top

 


 
.