EMF5XV6T5 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: EMF5XV6T5
Código: UY
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN*PNP
Resistencia de Entrada Base R1 = 47 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm
Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hFE): 80
Encapsulados: SOT563
Búsqueda de reemplazo de EMF5XV6T5
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
EMF5XV6T5 datasheet
emf5xv6t5-d emf5xv6 emf5xv6t5g.pdf
EMF5XV6T5 Preferred Devices Power Management, Dual Transistors NPN Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network http //onsemi.com Features Simplifies Circuit Design (3) (2) (1) Reduces Board Space Reduces Component Count Q1 These are Pb-Free Devices Q2 MAXIMUM RATINGS R2 R1 Rating Symbol Value Unit (4) (5) (6) Q1 (TA = 25 C unless o
Otros transistores... DTC143EE, DTC143ZE, DTC144EE, EC3H02BA, EC4H09C, ECH8501, EMD4DXV6, EMF18, 2N2222A, EMG2DXV5, EMG5DXV5, EMX1, EMX2DXV6, EMZ1, FH102A, HN1B01FDW1, IMH20TR1
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
mosfet k8a50d | sl100 transistor | d2499 datasheet | 6r190p6 datasheet | 2n270 | 2n2924 | mpsa65 | 2sa794