EMF5XV6T5 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: EMF5XV6T5
Código: UY
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN*PNP
Resistencia de Entrada Base R1 = 47 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm
Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
Paquete / Cubierta: SOT563
Búsqueda de reemplazo de EMF5XV6T5
EMF5XV6T5 Datasheet (PDF)
emf5xv6t5-d emf5xv6 emf5xv6t5g.pdf

EMF5XV6T5Preferred DevicesPower Management,Dual TransistorsNPN Silicon Surface Mount Transistorswith Monolithic Bias Resistor Networkhttp://onsemi.comFeatures Simplifies Circuit Design(3) (2) (1) Reduces Board Space Reduces Component CountQ1 These are Pb-Free DevicesQ2MAXIMUM RATINGSR2 R1Rating Symbol Value Unit(4) (5) (6)Q1 (TA = 25C unless o
Otros transistores... DTC143EE , DTC143ZE , DTC144EE , EC3H02BA , EC4H09C , ECH8501 , EMD4DXV6 , EMF18 , 2SD1047 , EMG2DXV5 , EMG5DXV5 , EMX1 , EMX2DXV6 , EMZ1 , FH102A , HN1B01FDW1 , IMH20TR1 .
History: 2SC515 | KT3117A | 2N1367
History: 2SC515 | KT3117A | 2N1367



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
mosfet k8a50d | sl100 transistor | d2499 datasheet | 6r190p6 datasheet | 2n270 | 2n2924 | mpsa65 | 2sa794