EMF5XV6T5 - описание и поиск аналогов

 

EMF5XV6T5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: EMF5XV6T5

Маркировка: UY

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SOT563

 Аналоги (замена) для EMF5XV6T5

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

EMF5XV6T5 даташит

 0.1. Size:69K  onsemi
 emf5xv6t5-d emf5xv6 emf5xv6t5g.pdf pdf_icon

EMF5XV6T5

EMF5XV6T5 Preferred Devices Power Management, Dual Transistors NPN Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network http //onsemi.com Features Simplifies Circuit Design (3) (2) (1) Reduces Board Space Reduces Component Count Q1 These are Pb-Free Devices Q2 MAXIMUM RATINGS R2 R1 Rating Symbol Value Unit (4) (5) (6) Q1 (TA = 25 C unless o

Другие транзисторы: DTC143EE, DTC143ZE, DTC144EE, EC3H02BA, EC4H09C, ECH8501, EMD4DXV6, EMF18, 2N2222A, EMG2DXV5, EMG5DXV5, EMX1, EMX2DXV6, EMZ1, FH102A, HN1B01FDW1, IMH20TR1

 

 

 

 

↑ Back to Top
.