EMG2DXV5 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: EMG2DXV5
Código: UP
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
Resistencia de Entrada Base R1 = 47 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm
Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.23 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hFE): 80
Encapsulados: SOT553
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EMG2DXV5 datasheet
emg2dxv5t1 emg5dxv5 emg2dxv5t5g emg5dxv5t1.pdf
EMG2DXV5T1, EMG5DXV5T1 Preferred Devices Dual Bias Resistor Transistors NPN Silicon Surface Mount Transistors http //onsemi.com with Monolithic Bias Resistor Network This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor NPN SILICON Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias net
Otros transistores... DTC143ZE, DTC144EE, EC3H02BA, EC4H09C, ECH8501, EMD4DXV6, EMF18, EMF5XV6T5, 2SD718, EMG5DXV5, EMX1, EMX2DXV6, EMZ1, FH102A, HN1B01FDW1, IMH20TR1, MBT2222ADW1T1
History: BT2605T | BT2604T
🌐 : EN ES РУ
Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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