EMG2DXV5 - описание и поиск аналогов

 

EMG2DXV5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: EMG2DXV5

Маркировка: UP

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.23 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SOT553

 Аналоги (замена) для EMG2DXV5

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

EMG2DXV5 даташит

 0.1. Size:69K  onsemi
 emg2dxv5t1 emg5dxv5 emg2dxv5t5g emg5dxv5t1.pdf pdf_icon

EMG2DXV5

EMG2DXV5T1, EMG5DXV5T1 Preferred Devices Dual Bias Resistor Transistors NPN Silicon Surface Mount Transistors http //onsemi.com with Monolithic Bias Resistor Network This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor NPN SILICON Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias net

Другие транзисторы: DTC143ZE, DTC144EE, EC3H02BA, EC4H09C, ECH8501, EMD4DXV6, EMF18, EMF5XV6T5, 2SD718, EMG5DXV5, EMX1, EMX2DXV6, EMZ1, FH102A, HN1B01FDW1, IMH20TR1, MBT2222ADW1T1

 

 

 

 

↑ Back to Top
.