Справочник транзисторов. EMG2DXV5

 

Биполярный транзистор EMG2DXV5 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: EMG2DXV5
   Маркировка: UP
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.23 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: SOT553
 

 Аналог (замена) для EMG2DXV5

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

EMG2DXV5 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:69K  onsemi
 emg2dxv5t1 emg5dxv5 emg2dxv5t5g emg5dxv5t1.pdf pdf_icon

EMG2DXV5

EMG2DXV5T1,EMG5DXV5T1Preferred DevicesDual Bias ResistorTransistorsNPN Silicon Surface Mount Transistorshttp://onsemi.comwith Monolithic Bias Resistor NetworkThis new series of digital transistors is designed to replace a singledevice and its external resistor bias network. The BRT (Bias ResistorNPN SILICONTransistor) contains a single transistor with a monolithic bias net

Другие транзисторы... DTC143ZE , DTC144EE , EC3H02BA , EC4H09C , ECH8501 , EMD4DXV6 , EMF18 , EMF5XV6T5 , 2SC2073 , EMG5DXV5 , EMX1 , EMX2DXV6 , EMZ1 , FH102A , HN1B01FDW1 , IMH20TR1 , MBT2222ADW1T1 .

 

 
Back to Top

 


 
.