FH102A Todos los transistores

 

FH102A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FH102A
   Código: 102
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 20 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 10 V
   Tensión emisor-base (Veb): 2 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.07 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 5000 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 0.75 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 90
   Paquete / Cubierta: MCP6
 

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FH102A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:278K  sanyo
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FH102A

Ordering number : ENA1125 FH102ASANYO SemiconductorsDATA SHEETNPN Epitaxial Planar Silicon Composite TransistorHigh-Frequency Low-Noise Amplifier,FH102ADifferential Amplifier ApplicationsFeatures Composite type with 2 transistors contained in the MCP package currently in use, improving the mounting efficiencygreatly. The FH102A is formed with two chips, being equivalen

 9.1. Size:66K  sanyo
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FH102A

Ordering number : EN5874NPN Epitaxial Planar Silicon Composite TransistorFH102High-Frequency Low-Noise Amp,Differential Amp ApplicationsFeaturesPackage Dimensions Composite type with 2 transistors contained in the MCPunit: mmpackage currently in use, improving the mounting2149-MCP6efficiency greatly. The FH102 is formed with two chips, being equivalent to[FH102]

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History: AFY23 | 2SB559 | D29J1 | BDY98 | ECG272

 

 
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