FH102A. Equivalente. Reemplazo. Todos los transistores. Hoja de especificaciones. Principales características

FH102A Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FH102A

Código: 102

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W

Tensión colector-base (Vcb): 20 V

Tensión colector-emisor (Vce): 10 V

Tensión emisor-base (Veb): 2 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.07 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 5000 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 0.75 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 90

Encapsulados: MCP6

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FH102A datasheet

..1. Size:278K sanyo
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Ordering number ENA1125 FH102A SANYO Semiconductors DATA SHEET NPN Epitaxial Planar Silicon Composite Transistor High-Frequency Low-Noise Amplifier, FH102A Differential Amplifier Applications Features Composite type with 2 transistors contained in the MCP package currently in use, improving the mounting efficiency greatly. The FH102A is formed with two chips, being equivalen

9.1. Size:66K sanyo
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Ordering number EN5874 NPN Epitaxial Planar Silicon Composite Transistor FH102 High-Frequency Low-Noise Amp, Differential Amp Applications Features Package Dimensions Composite type with 2 transistors contained in the MCP unit mm package currently in use, improving the mounting 2149-MCP6 efficiency greatly. The FH102 is formed with two chips, being equivalent to [FH102]

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