Справочник транзисторов. FH102A

 

Биполярный транзистор FH102A Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: FH102A
   Маркировка: 102
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.07 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5000 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.75 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 90
   Корпус транзистора: MCP6
 

 Аналог (замена) для FH102A

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FH102A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:278K  sanyo
 fh102a.pdf pdf_icon

FH102A

Ordering number : ENA1125 FH102ASANYO SemiconductorsDATA SHEETNPN Epitaxial Planar Silicon Composite TransistorHigh-Frequency Low-Noise Amplifier,FH102ADifferential Amplifier ApplicationsFeatures Composite type with 2 transistors contained in the MCP package currently in use, improving the mounting efficiencygreatly. The FH102A is formed with two chips, being equivalen

 9.1. Size:66K  sanyo
 fh102.pdf pdf_icon

FH102A

Ordering number : EN5874NPN Epitaxial Planar Silicon Composite TransistorFH102High-Frequency Low-Noise Amp,Differential Amp ApplicationsFeaturesPackage Dimensions Composite type with 2 transistors contained in the MCPunit: mmpackage currently in use, improving the mounting2149-MCP6efficiency greatly. The FH102 is formed with two chips, being equivalent to[FH102]

Другие транзисторы... EMD4DXV6 , EMF18 , EMF5XV6T5 , EMG2DXV5 , EMG5DXV5 , EMX1 , EMX2DXV6 , EMZ1 , BC327 , HN1B01FDW1 , IMH20TR1 , MBT2222ADW1T1 , MBT35200 , MBT3904DW1 , MBT3906DW1 , MBT3946DW1T1 , MBT6429DW1 .

 

 
Back to Top

 


 
.