FH102A - описание и поиск аналогов

 

FH102A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FH102A

Маркировка: 102

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.07 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.75 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 90

Корпус транзистора: MCP6

 Аналоги (замена) для FH102A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FH102A даташит

 ..1. Size:278K  sanyo
 fh102a.pdf pdf_icon

FH102A

Ordering number ENA1125 FH102A SANYO Semiconductors DATA SHEET NPN Epitaxial Planar Silicon Composite Transistor High-Frequency Low-Noise Amplifier, FH102A Differential Amplifier Applications Features Composite type with 2 transistors contained in the MCP package currently in use, improving the mounting efficiency greatly. The FH102A is formed with two chips, being equivalen

 9.1. Size:66K  sanyo
 fh102.pdf pdf_icon

FH102A

Ordering number EN5874 NPN Epitaxial Planar Silicon Composite Transistor FH102 High-Frequency Low-Noise Amp, Differential Amp Applications Features Package Dimensions Composite type with 2 transistors contained in the MCP unit mm package currently in use, improving the mounting 2149-MCP6 efficiency greatly. The FH102 is formed with two chips, being equivalent to [FH102]

Другие транзисторы: EMD4DXV6, EMF18, EMF5XV6T5, EMG2DXV5, EMG5DXV5, EMX1, EMX2DXV6, EMZ1, BC327, HN1B01FDW1, IMH20TR1, MBT2222ADW1T1, MBT35200, MBT3904DW1, MBT3906DW1, MBT3946DW1T1, MBT6429DW1

 

 

 

 

↑ Back to Top
.