HN1B01FDW1. Equivalente. Reemplazo. Todos los transistores. Hoja de especificaciones. Principales características

HN1B01FDW1 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HN1B01FDW1

Código: R9

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN*PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.38 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 200

Encapsulados: SC-74 SC59-ML

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HN1B01FDW1 datasheet

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HN1B01FDW1T1G, SHN1B01FDW1T1G Complementary Dual General Purpose Amplifier Transistor www.onsemi.com PNP and NPN Surface Mount Features SC-74 High Voltage and High Current VCEO = 50 V, IC = 200 mA CASE 318F High hFE hFE = 200X400 STYLE 3 Moisture Sensitivity Level 1 ESD Rating (6) (5) (4) Human Body Model 3A Machine Model C S Prefix for Automoti

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HN1B01FDW1T1 Complementary Dual General Purpose Amplifier Transistor PNP and NPN Surface Mount http //onsemi.com Features (6) (5) (4) High Voltage and High Current VCEO = 50 V, IC = 200 mA High hFE hFE = 200X400 Q1 Q2 Moisture Sensitivity Level 1 ESD Rating - Human Body Model 3A - Machine Model C (1) (2) (3) Pb-Free Package is Available MAXIMUM RATINGS (

0.3. Size:103K onsemi
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HN1B01FDW1T1G, SHN1B01FDW1T1G Complementary Dual General Purpose Amplifier Transistor http //onsemi.com PNP and NPN Surface Mount Features SC-74 High Voltage and High Current VCEO = 50 V, IC = 200 mA CASE 318F High hFE hFE = 200X400 STYLE 3 Moisture Sensitivity Level 1 ESD Rating (6) (5) (4) Human Body Model 3A Machine Model C Q1 Q2 AEC-Q101 Qu

Otros transistores... EMF18, EMF5XV6T5, EMG2DXV5, EMG5DXV5, EMX1, EMX2DXV6, EMZ1, FH102A, A733, IMH20TR1, MBT2222ADW1T1, MBT35200, MBT3904DW1, MBT3906DW1, MBT3946DW1T1, MBT6429DW1, MCH3007

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