Биполярный транзистор HN1B01FDW1 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: HN1B01FDW1
Маркировка: R9
Тип материала: Si
Полярность: NPN*PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.38 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: SC-74 SC59-ML
Аналоги (замена) для HN1B01FDW1
HN1B01FDW1 Datasheet (PDF)
hn1b01fdw1t1g shn1b01fdw1t1g.pdf
HN1B01FDW1T1G,SHN1B01FDW1T1GComplementary DualGeneral PurposeAmplifier Transistorwww.onsemi.comPNP and NPN Surface MountFeaturesSC-74 High Voltage and High Current: VCEO = 50 V, IC = 200 mACASE 318F High hFE: hFE = 200X400 STYLE 3 Moisture Sensitivity Level: 1 ESD Rating(6) (5) (4) Human Body Model: 3A Machine Model: C S Prefix for Automoti
hn1b01fdw1t1-d.pdf
HN1B01FDW1T1Complementary DualGeneral PurposeAmplifier TransistorPNP and NPN Surface Mounthttp://onsemi.comFeatures(6) (5) (4) High Voltage and High Current: VCEO = 50 V, IC = 200 mA High hFE: hFE = 200X400Q1 Q2 Moisture Sensitivity Level: 1 ESD Rating - Human Body Model: 3A- Machine Model: C(1) (2) (3) Pb-Free Package is AvailableMAXIMUM RATINGS (
shn1b01fdw1t1g.pdf
HN1B01FDW1T1G,SHN1B01FDW1T1GComplementary DualGeneral PurposeAmplifier Transistorhttp://onsemi.comPNP and NPN Surface MountFeaturesSC-74 High Voltage and High Current: VCEO = 50 V, IC = 200 mACASE 318F High hFE: hFE = 200X400 STYLE 3 Moisture Sensitivity Level: 1 ESD Rating(6) (5) (4) Human Body Model: 3A Machine Model: CQ1 Q2 AEC-Q101 Qu
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
