MCH6001 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MCH6001
Código: GT
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W
Tensión colector-base (Vcb): 15 V
Tensión colector-emisor (Vce): 8 V
Tensión emisor-base (Veb): 2 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 13000 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 60
Encapsulados: MCPH6
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MCH6001 datasheet
mch6001.pdf
MCH6001 Ordering number ENA1601 SANYO Semiconductors DATA SHEET NPN Epitaxial Planar Silicon Composite Transistor MCH6001 High Frequency Low-Noise Amplifier Features Low-noise use NF=1.2dB typ (f=1GHz). High cut-off frequency fT=16GHz typ (VCE=5V). High gain S21e =16dB typ (f=1GHz). 2 Composite type with 2 RF transistor MCH4020 in one package facilitating
Otros transistores... MCH4009, MCH4014, MCH4015, MCH4016, MCH4017, MCH4020, MCH4021, MCH5541, 2SD2499, MCH6102, MCH6202, MCH6541, MCH6542, MCH6544, MCH6545, MJ21195, MJ21196
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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